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中国科学院理化技术研究所专利：ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
中国科学院理化技术研究所 专利 ZnO/ZnS 核壳结构 一维纳米材料 单晶ZnS纳米管
2023/4/24
中国科学院理化技术研究所专利：ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法
中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
中国科学院理化技术研究所 专利 一维 ZnO/ZnS 核壳结构 纳米阵列 单晶 ZnS纳米管阵列
2023/4/24
中国科学院理化技术研究所专利：一维ZnO/ZnS核壳结构纳米阵列以及单晶ZnS纳米管阵列的制备方法
将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观察到了外量子效率(EQE)值的提升,说明所用量子点可以应用于对300~420 nm波段光谱响应几乎为零的电池上实现频率的下转移,提高EQE。对量...
将CdSe/ZnSe/ZnS量子点掺入到聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中,研究了量子点的发光下转移特性。将420 nm长波滤光片盖在单晶电池上,使电池对300~420 nm波段光谱响应几乎为零,同时排除下转移层抗反射效应的影响,再在滤光片表面制备下转移层,观察到了外量子效率(EQE)值的提升,说明所用量子点可以应用于对300~420 nm波段光谱响应几乎为零的电池上实现频率的下转移,提高EQE。对量...
以C19H42BrN为表面活性剂,采用水热法合成了ZnS:Mn纳米晶,分别利用XRD、TEM、荧光光谱仪对其物相、形貌及光学性能进行了研究。结果表明:ZnS:Mn纳米晶为闪锌矿ZnS结构,颗粒近似球形,平均粒径为4~8 nm。荧光光谱显示,ZnS:Mn纳米晶的荧光发射峰强度随着Mn2+掺杂浓度和表面活性剂含量的增加而逐渐增强。
采用油相法合成了CdSe/CdS/ZnS量子点,相对于CdSe量子点,其吸收光谱、发射光谱均发生了红移。利用COMSOL Multiphysics软件模拟CdSe/CdS/ZnS量子点光纤和甲苯光纤的电场分布,结果表明CdSe/CdS/ZnS量子点光纤的电场强度高于甲苯光纤。采用中心波长为532 nm的稳态半导体激光器作为光源,对甲苯光纤、CdSe/ZnS量子点光纤、CdSe/CdS/ZnS量子点...
表面修饰的ZnS:Mn量子点的发光性质及其对生物分子的检测
ZnS:Mn 表面修饰 发光 BCA法检测
2013/10/16
采用水热法制备了ZnS:Mn量子点,探讨了掺杂离子浓度对ZnS:Mn量子点的晶体结构和发光性质的影响。 通过荧光光谱对样品进行表征。结果表明:掺杂离子的摩尔分数达到2%时,ZnS:Mn量子点在595 nm附近的发光最强;继续增加掺杂浓度反而出现荧光猝灭的现象。本文还研究了表面修饰对量子点形貌和发光性质的影响。通过透射电子显微镜(TEM)观察样品的形貌,发现经过3-巯基丙酸(MPA)修饰后的样品表面...
本文采用涂布法制备了一系列H310BO3/ZnS(Ag)闪烁体转换屏样品，对其成分配比进行了优化。结果表明，最佳的H310BO3/ZnS(Ag)质量比在1∶6~1∶7之间，最佳的黏合剂用量为总质量的25%。利用中子照相设备对转换屏的发光均匀性进行了成像分析，结果显示光输出非常均匀；对楔形镉条进行中子成像，并采用调制传递函数(modulation transfer function,MTF)方法计算...
球形ZnS/CdSe/ZnS核壳壳量子点的三阶极化率参量相关特征
量子点 三阶极化率 非线性光学
2012/12/12
在有效质量近似下,利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型导出了三层球型量子点的三阶非线性光学极化率(自聚焦)的解析表达式.通过数值计算,分析了ZnS/CdSe/ZnS球型核壳结构量子点的三阶极化率(自聚焦)与量子点尺寸和入射光频率之间的关系.结果显示,量子点尺寸增大时,自聚焦效应三阶极化率(自聚焦)的峰值高度增大,峰值位置红移.本文的讨论为实验研究和实际应用提供了理论依据,对于光电器件的研...
水相合成了谷胱甘肽修饰的CdTe/ZnS 量子点(GSH-CdTe/ZnS QDs). 从原子力显微镜照片可以看出, 合成的核壳型GSH-CdTe/ZnS QDs 具有良好的分散性. 当吡柔比星与GSH-CdTe/ZnS QDs 相互作用时, 吡柔比星吸附在GSH-CdTe/ZnS QDs 的表面, 通过光诱导电子转移的方式猝灭GSH-CdTe/ZnS QDs 的荧光. 然后向GSH-CdTe/Z...
水热法合成ZnS∶Au，Cu超细X射线发光粉
Cu 水热法 X射线激发发光
2009/10/28
报道了水热法合成的高强度ZnS∶Au, Cu超细X射线发光粉及其光致发光(PL)和X射线激发发光(XEL)的光谱特性。200 ℃水热处理12 h直接合成样品的纳米晶粒约15 nm，尺寸分布窄，分散性好，具有纯立方相的类球形结构。氩气保护下1 000 ℃焙烧1 h后的样品存在一定的团聚，但团聚后尺寸为1～2 μm，为超细X射线发光粉，此时样品为纯六角相的类球形为主的结构。所有样品的PL和XEL光谱均...
核-壳结构的ZnS∶Cu/ZnS纳米粒子的制备及发光性质研究
核-壳结构 ZnS∶Cu 纳米粒子
2009/10/22
制备了核-壳结构的ZnS∶Cu/ZnS纳米粒子以及普通的没有壳的Cu2+掺杂的ZnS纳米粒子，研究了ZnS无机壳层对ZnS∶Cu纳米粒子发光性质的影响。透射电子显微镜、激发光谱和发射光谱的研究表明，后加入的Zn2+离子在已经形成的ZnS核表面生长，形成ZnS壳层;而适当厚度的ZnS壳层可以钝化粒子表面，减少无辐射复合中心的数目，抑制表面态对发光的不利影响，提高ZnS∶Cu纳米粒子中Cu2+离子在4...
ZnS∶Ag纳米发光材料的制备及光谱性质
ZnS∶Ag 水热法 发光 纳米颗粒
2009/5/8
以简单的化学试剂和实验过程，采用水热法制备出ZnS∶Ag纳米发光材料。X射线衍射结果表明，产品均为结晶良好的ZnS立方闪锌矿结构。通过谢乐公式估算的结果表明，颗粒尺寸随反应温度的升高而呈非线性增长。透射电镜结果表明，产品基本为近球形，大小与估算结果吻合。通过发射光谱和激发光谱对产品的光学性质进行研究，发射峰位于450 nm左右，归属于硫空位相关的电子陷阱施主和银相关的空穴陷阱受主的复合；激发峰位于...
采用溶剂热法制备了Mn离子掺杂的ZnS纳米粒子(ZnS∶Mn)，然后利用正硅酸乙酯(TEOS)的水解反应对其进行了不同厚度的SiO2无机壳层包覆。采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)及荧光发射光谱(PL)对样品的结构及光学性质进行了表征和研究。包覆SiO2壳层后，粒子的粒径明显增大并且在ZnS∶Mn纳米粒子表面可以观察到明显的SiO2壳层。XPS测试印证了...