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Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟
Ge/Si量子阱 C-V 特性法 迭代法
2008/10/24
采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布，并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性. C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征，它与量子阱结构参数有密切的关系. 随着覆盖层厚度的减小，C-V曲线上平台起始点的电容值增加，并且向低电压方向移动直至其消失. 随着量子阱中的掺杂浓度提高，阱中的载流子...
Statistics and Size-Quantized Anisotropy of Electron States in n-Ge and n-Si Films
Statistics Size-Quantized Anisotropy Electron States n-Ge n-Si Films
2010/4/19
The wave functions and energy spectrum of electrons in size-quantized n-Ge and n-Si films are obtained and the anisotropy of the electron state density is investigated. Also, the analytical expression...