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摘要 TFEL器件中绝缘层与发光层之间的界面对电荷的输运特性、发光特性等有着十分重要的作用。本文通过XPS的测量, 分析了新结构器件中SrS/α-SiO~2界面的各成分的芯电子能谱的变化和深度分布, 发现Sr^2^+向SiO~2中扩散较深并以氧化物的形态存在,介质层以SiO~x(x=1.65～1.70)的形态存在。这些丰富的界面态有可能成为TFEL器件的初电子源而对SrS:Ce发光有贡献。
用角分布XPS法研究热处理时YBCO膜的表面组成变化及膜与衬底的相互作用
角分布XPS法 YBCO膜 表面化学
2010/2/21
用角分布XPS法研究了MOD法制得的YBCO膜在热处理过程中膜的表面元素浓度变化以及膜与村底ZrO_2之间的原子扩散和固态化学反应。结果表明无论是薄膜(约0.1 μm)和较厚的膜(约1～1.5 μm), 在大约530～720 ℃的温度范围内加热后都发生铜表面富集和钡表面浓度偏低。在800 ℃以上加热后铜的表面浓度显著降低, 温度愈高, 降低愈甚。膜与衬底之间的化学反应也随温度升高而加剧。例如薄膜在...