搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 ZnO”相关记录40条 . 查询时间(0.062 秒)
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所微纳技术与器件研究室李越课题组，与济南大学教授李村成合作，在Au@ZnO核壳纳米颗粒自组装及光电催化析氢性能研究方面取得进展，相关研究结果发表在ACS Applied Materials & Interfaces上。光电催化分解水制氢是利用太阳能制备燃料的理想途径之一，光电催化将有望成为解决目前日益严重的能源危机和环境问题的重要技术。在光电催化分解水...
表面等离子体共振增强ZnO/Ag薄膜发光特性研究
光致发光光谱 表面等离激元 氧化锌 磁控溅射
2016/9/5
为了提高氧化锌光致发光强度,以磁控溅射氧化锌/银复合薄膜为研究对象,系统地研究了氧化锌薄膜的光学性质。实验中首先在硅衬底上用射频磁控溅射的方法沉积氧化锌/银复合薄膜,作为对比,同时沉积了一层氧化锌薄膜。通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对样品的形貌及成份进行表征,并且在室温下测试样品在300~800 nm波长范围内的光致发光光谱。实验结果表明:所制得样品为均匀分布的氧化锌纳米薄膜,纯氧化锌光致发光光...
视频：大师论坛：ZnO纳米线微腔中的回音壁模激子极化激元及其激射物理和应用前景。
在有效质量近似下,计算了盘形量子点中离子施主束缚激子的结合能、光跃迁能、振子强度及辐射寿命.设盘形量子点由有限长的柱形ZnO材料组成,四周被MgxZn1-xO包围,离子施主局域在盘轴.考虑了由于自发极化和压电极化引起的内建电场效应,并在有限深约束势下采用合适的变分波函数进行.计算结果表明,量子盘结构参数(盘高度及垒中Mg组分)和离子施主的位置对离子施主束缚激子的结合能、光跃迁能、振子强度及辐射寿命...
氨水量对微波制备花状ZnO光催化性能的影响
微波法 花状ZnO 形貌 光催化
2014/6/20
通过一种简便高效的微波法在不同氨水量下制备了花状ZnO。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及光致发光光谱仪(PL)对产物的结构、形貌以及光学特性进行表征。发现此种方法制备的ZnO为微米量级，花状结构是由一系列底部粗、顶部细的纳米棒组合而成，光致发光显示有很强的绿光发光峰。光催化测试表明ZnO对甲基橙有较强的降解作用，1小时的降解率约95%。氨水量对ZnO的结构形貌有影响，对光致发...
基于ZnO压电薄膜的柔性声表面波器件
柔性衬底 ZnO薄膜 压电薄膜 声表面波器件
2014/3/10
提出并制备了基于聚酰亚胺柔性衬底的声表面波(SAW)器件。在柔性聚酰亚胺衬底上低温反应磁控溅射沉积了ZnO压电薄膜;采用X射线衍射仪,扫描电子显微镜,原子力显微镜等设备对ZnO薄膜进行了检测,结果表明:ZnO薄膜晶粒呈柱状生长并且(002)择优取向,膜粗糙度小于9 nm,适合制作压电器件。在柔性衬底上制备了基于ZnO压电薄膜的SAW器件,该器件表现出良好的谐振性能。采用矢量网络分析仪检测器件的传输...
ZnO 薄膜是一种新型的宽带隙透明氧化物薄膜材料，具有优良的物理和化学特性。在微光像增强器中具有多方面的潜在应用。通过对ZnO 材料晶格参数等的研究， 发现可以作为制备高质量GaN 紫外光电阴极的缓冲层。通过对ZnO 能带的研究，发现ZnO 本身还可以独立的作为负电子亲和势光电阴极材料，一旦p 型ZnO 制备获得成功，将更有利于形成负电子亲和势光电阴极。此外，采用蒙特卡罗模拟的方法发现ZnO 薄膜...
顶端ZnO纳米结构对GaN基LED光提取效率的影响
发光二极管 ZnO纳米结构 光提取效率 时域有限差分
2013/9/22
为了提高GaN基蓝光LED的光提取效率,本文建立了LED顶面分别铺设ZnO纳米柱和纳米锥结构的两种模型,利用时域有限差分法对两种模型进行仿真并对结果进行了比较.仿真结果表明,ZnO纳米结构的各项几何结构参量(包括排列周期P、高度L、宽度W以及斜率k等),对LED顶端光提取效率影响显著.仿真分别得到了两种结构的最佳模型,通过比较,LED顶面纳米柱和纳米锥结构对光提取效率的提高效果相近,其最佳提取效率...
ZnO/GaN核壳异质结电子结构和光学特性第一性原理研究
异质结 电子结构 光学性质 第一性原理
2013/3/22
采用密度泛函理论框架下的第一性原理方法计算了ZnO/GaN核壳异质结的电子结构和光学特性.计算结果表明:[10 10]和[11 20]晶面的异质结在带隙边缘价带顶和导带底的电子态密度各自主要由氮原子和锌原子贡献.以[10 10]晶面为侧面的异质结结构的介电函数虚部(ε2)的曲线具有相似的特征,都是价带的氮原子到导带锌原子的跃迁,但峰位依赖于核层数和壳层数的不同而有所偏移.相对地,以[11 20]晶...
以N2为掺杂源,通过改变O2∶N2比,利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了具有[002]择优取向的N掺杂ZnO薄膜,研究了ZnO薄膜的光致发光谱随着N掺入量的不同而变化的规律.结果表明,薄膜主衍射峰为402 nm处的发光峰;由于N掺杂量的不同,有的薄膜在445 nm和524 nm处也有发光发存在,但随着薄膜N含量的不同,其发光峰强度明显不同,其峰位也发生了相应的红移或者蓝移.当O2∶N2为10∶1...
为了研究ZnO掺Sb后电子结构和光学性质的变化，采用基于密度泛函理论对纯净ZnO和Sb掺杂ZnO两种结构进行第一性原理的计算。计算结果表明：随着Sb的掺入，体系的晶格常数变大，键长增加，体积变大，系统总能增大。能带中价带和导带数目明显变密，费米能级进入导带，体系逐渐呈金属性，带隙明显展宽。在光学性质方面，主吸收峰的左边出现了新的吸收峰，是由导带上的Zn-4s和Sb-5p轨道杂化电子跃迁所致；同时介...
不同条件制备的ZnO纳米梳结构及其性能研究
ZnO纳米梳 热蒸发 光致发光光谱 场发射
2012/12/12
采用热蒸发法通过改变衬底放置条件在Si (111)衬底上制备出了ZnO纳米梳结构.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计、场发射装置对样品的结构、形貌、光致发光光谱及场发射特性进行了分析.XRD结果表明衬底水平放置(A)和衬底竖直放置(B)制备出的样品均属于多晶六角纤锌矿结构.SEM结果表明两种衬底放置条件下的样品均为纳米梳状结构,改变衬底放置条件ZnO纳米梳的尺寸和形貌有...
MSM结构ZnO紫外探测器的制备及光电性能研究
ZnO薄膜 紫外探测器 MSM结构 光电性能
2013/9/29
采用磁控溅射方法，在石英衬底上制备了光电性能优良的ZnO紫外探测器。通过紫外光电性能测试、扫描电子显微镜（SEM）观察及X射线衍射（XRD）分析，研究了ZnO紫外 探测器的光电特性。结果表明：探测器的光电流高出暗电流近3个数量级，紫外波段的光响应高出可见光波段近2个数量级，所制备ZnO紫外探测器达到了高辐射灵敏度和可见盲特性 的要求。
2011年4月21日，中科院基础科学局在北京主持召开了由中科院长春光机所任首席单位，由中科院物理所、半导体所、福建物构所、上海光机所和中国科学技术大学共同承担的中国科学院知识创新工程重要方向项目“ZnO基材料、器件的相关物理问题研究”验收会。验收组听取了项目负责人和各课题负责人的工作报告，经过认真讨论，认为项目组已超额完成了项目计划书规定的各项任务，一致同意通过项目验收。