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南京大学物理学院李绍春课题组在VTe2单层中观测到电子强关联效应（图）
VTe2单层 电子 强关联效应
2024/5/6
近日，南京大学物理学院李绍春课题组在二维极限下电荷密度波（CDW）与电子强关联效应的研究取得了重要进展，他们首次在非大卫星(star of David)结构的单层VTe2-2√3×2√3 CDW态中发现了电子强关联效应和莫特能隙。
新型二维磁性材料VTe2中的奇异磁性和多铁性（图）
低维磁性体系 二维磁性材料 奇异磁性 多铁性
2021/8/25
低维磁性体系以其新奇的晶体结构和量子特性，在自旋电子学等方面具有广阔的应用前景。磁性多层薄膜CrI3的成功制备，使二维磁性材料的发现和探索成为凝聚态物理科学研究的重要前沿。目前，低维磁性半导体的研究主要集中在两方面：通过外延生长发现新的磁性材料，和调控磁性以探究独特的磁作用机制。多种二维磁性材料，如Cr2Ge2Te6, Fe3GeTe2, CrSe2, CrTe2等，均已有实验报道；而层间铁磁耦合...
二维原子晶体VTe2的近藤效应（图）
二维原子晶体VTe2 近藤效应 非磁性主体 传导电子 磁性杂质
2020/1/4
近藤效应来源于非磁金属中微量的磁性杂质散射。由于非磁性主体的传导电子与磁性杂质的局域磁矩相互作用，电阻率在低温下出现极小值。磁性杂质对电阻的贡献与温度成对数关系：Δρ = –clnT，其中T是温度，c是取决于主体金属及磁性杂质的种类和浓度的参数。当温度低于特征温度—近藤温度TK时，磁性杂质的自旋将被屏蔽，形成总自旋为零的多体单重态的基态，即Kondo单态。由于Kondo单态的非磁性散射，电阻率在温...