搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术”相关记录4878条 . 查询时间(2.427 秒)
中国科学院单个激光腔中实现高性能单模激光输出
激光 高性能 集成电路
2024/12/20
2024年12月18日，中国科学院上海光学精密机械研究所研究员张龙与董红星团队，联合湖南大学和南京航空航天大学的研究人员，在激光模式调控技术研究方面取得进展。该团队通过选择性模式结构破缺这一创新方法，在单个激光腔中实现了高性能单模激光输出。相关研究成果以Single-Mode Lasing by Selective Mode Structure Breaking为题，发表在《先进功能材料》（Adv...
中国科学院科研人员发展出新型聚合物半导体交联剂（图）
聚合物 半导体 集成电路
2024/12/8
高迁移率聚合物半导体的设计合成已取得进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用于集成电路面临困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工，可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。目前，可控光化学交联技术是与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式。特别是，发展高效的化学交联剂至关重要。
中国科学院化学研究所张德清课题组在聚合物半导体的光刻图案化方面取得新进展（图）
张德清 聚合物 半导体
2024/12/4
高迁移率聚合物半导体的设计合成已经取得很大进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用在集成电路里仍面临很多困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。可控光化学交联技术是一种与现有微电子工业光刻工艺相兼容的图案化方式，其中发展高效的化学交联剂至关重要。目前，简单高效的交联剂种类有限，交联体系的迁移率、灵敏度、对比度、集成...
中国科学院合肥物质科学研究院SHMFF助力发现新反常霍尔效应产生机制（图）
铁磁材料 电子 应用
2024/11/30
2024年11月27日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户上海科技大学郭艳峰团队与中国科学院合肥物质院强磁场中心合作，依托SHMFF的水冷磁体WM5对三方晶系反铁磁拓扑材料EuAl2Si2进行了量子输运研究，揭示了一种新型反常霍尔效应产生机制。该成果于2024年11月21日发表在权威物理期刊《物理评论快报》（Physical Review Letters）。
时间反演对称性破缺的磁性材料中，本...
国家自然科学基金委员会武大何军课题组在后摩尔时代先进技术节点器件研究方面取得进展（图）
何军 器件 集成电路
2024/12/3
2024年11月19日，《自然·材料》（Nature Materials）在线发表了武汉大学物理科学与技术学院何军教授课题组在后摩尔时代先进技术节点器件高κ单晶栅介质方面的最新进展，文章题目为“High-κmonocrystalline dielectrics for low-power two-dimensional electronics”。武汉大学物理科学与技术学院尹蕾研究员、程瑞清副教授和...
上海高研院实验证实RuO₂非交变磁特性（图）
电子 器件 薄膜
2024/11/9
交变磁性（altermagnetism）是一种近年来提出的第三类基本磁相，它既有反铁磁体的零净磁场，也具有铁磁体的自旋劈裂现象，而这两者通常被认为是不相容的。由于交变磁性兼具铁磁性和反铁磁性的优势，这一发现为制造自旋电子器件带来了新的希望和突破口，在磁存储和量子计算中展现出具大的应用前景。
中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
电子 半导体 集成电路
2024/11/7
当前，Flash遇到制程微缩瓶颈，大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP，成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。
2024年11月6日，北京经济技术开发区（北京亦庄）显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED（次毫米发光二极管）...
中国科学院上海高等研究院硬X射线自由电子激光装置注入器实现100MeV束流加速（图）
X射线 电子 激光 装置
2024/11/9
2024年10月30日，硬 X 射线自由电子激光装置（SHINE）开启注入器束流调试并于当日实现束流贯通，束流加速能量达到工程设计要求的100兆电子伏特（MeV）。HINE 作为最新一代基于连续波超导加速器的高重频自由电子激光装置，将建设1台电子能量8吉电子伏特（GeV）的超导直线加速器和若干波荡器线、光束线以及实验站。注入器是SHINE直线加速器的最主要组成部分之一，包含一台光阴极常温连续波甚高...
中国科学院合肥物质科学研究院SHMFF用户在高迁移率二维半导体中观测到分数量子霍尔效应（图）
二维半导体 观测 量子
2024/11/11
2024年11月4日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户辽宁材料实验室和山西大学等合作者利用SHMFF所属水冷磁体WM5，在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管低温欧姆接触稳定可靠制备方面取得了新进展，该成果在线发表于Nature Electronics。
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论（图）
半导体 光学 声子 理论
2024/11/7
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限，主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径：其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料，确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层，遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流；另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管（NCFET），突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制，进而...
分子内非共价相互作用能够锁定平面构象，显著提升共轭骨架的共平面性和刚性，进而增强载流子的迁移率。这一特性已在有机太阳能电池、有机光电探测器及有机场效应晶体管等多个领域得到广泛应用，并逐渐成为设计高性能有机/高分子半导体材料的关键策略之一。然而迄今为止，尚未有可靠的方法能够直接表征薄膜体系中分子内非共价相互作用和相应构象的存在。
中国科学院物理研究所二维半导体Cr8Se12的合成和类笼目能带的实验观测（图）
二维半导体 合成 观测
2024/11/4
材料的电子结构受其几何结构和材料维度的影响。一些具有特殊几何构型的晶格，如笼目晶格、Lieb晶格、着色三角晶格等，具有电子阻挫效应产生的无色散的能带，即平带，其中存在丰富的电子关联效应。最近，人们在三维笼目金属中已经观察到多种关联电子态，例如巨大的反常霍尔效应、量子自旋液体、手性电荷密度波和非常规超导等。另一方面，与半导体工业中常用的三维半导体相比，二维半导体由于良好的开关性能和更强的库仑相互作用...
中国科学院合肥物质科学研究院SHMFF用户在Pt/CrI3异质结构研究中取得新进展（图）
结构 电子 器件
2024/11/11
2024年10月28日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户河南大学王凯教授、康朝阳副教授与中国科学院合肥物质院强磁场科学中心韩玉岩副研究员合作，依托SHMFF物性测试系统，在Pt/CrI3异质结构输运性质研究取得了新进展。该成果于2024年09月30日在国际著名学术出版社Elsevier发行的期刊Applied Surface Science上在线发表。
