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2021年3月2日，通用电气医疗系统贸易发展（上海）有限公司（以下简称“GE医疗”）超声事业部浙江区经理金昊洋先生携公司无锡工厂专家一行5人到访我校滨江校区，医学影像学院党委书记陈小林、副院长彭成忠、副院长王大江、副书记颜美艳等与来访者在求实楼204会议室进行了座谈研讨，双方就进一步探讨校企合作、落实超声医学人才培养规划进行了深度交流，达成了战略共识。
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，研究了压力作用下Mg2Si和Mg2Ge的结构、弹性和热力学性质。计算结果表明：0 GPa压力作用下两者的晶格参数与实验值以及其他理论值吻合较好，且相对晶格常数a/a0和晶胞体积V/V0均随压力的增大而减小；在0~25 GPa压力作用下，Mg2Si和Mg2Ge相体模量B、剪切模量G、杨氏模量E均随压力的增大而增大，材料的刚度和塑性均增强，当压力达到15 GPa时...
GELATIO: a general framework for modular digital analysis of high-purity Ge detector signals
Software architectures (event data models, frameworks and databases), Data processing methods, Gamma detectors
2011/8/31
GELATIO is a new software framework for advanced data analysis and digital signal processing developed for the GERDA neutrinoless double beta decay experiment. The framework is tailored to handle the ...
New structural model for GeO2/Ge interface: A first-principles study
New structural model for GeO2/Ge interface first-principles study
2010/11/24
First-principles modeling of a GeO2/Ge(001) interface reveals that sixfold GeO2, which is derived from cristobalite and is different from rutile, dramatically reduces the lattice mismatch at the inter...
Structure and spatial distribution of Ge nanocrystals subjected to fast neutron irradiation
Structure spatial distribution fast neutron irradiation
2010/11/23
The influence of fast neutron irradiation on the structure and spatial distribution of Ge nanocrystals (NC) embedded in an amorphous SiO2 matrix has been studied. The investigation was conducted by me...
Energy Levels, Transition Probabilities and Electron-Impact Excitations Of Ge-Like Pr, Nd, Pm, Sm and Eu ions
Energy Levels Ge-Like Pr
2010/11/16
Energies, wavelengths, transition probabilities, and oscillator strengths have been calculated for the 4s24p2-4s4p3, 4s24p2-4s24p4d and 4s4p3-4p4 allowed transitions in heavy Ge-like ions with Z=59-6...
First Principles Study of Si/Ge Core-Shell nanowires under external uniaxial strain
First Principles Study Si/Ge Core-Shell nanowires external uniaxial strain
2010/11/11
Density-functional theory based first principles calculations are performed to study the effects of external uniaxial strain on the electronic states of Si/Ge core-shell nanowires along the [110] dire...
Displacement damage dose approach to analyze ion irradiation effects on homemade GaAs/Ge solar cells
GaAs/Ge solar cells displacement damage dose carbon ion proton irradiation
2009/8/14
Displacement damage dose is applied to analyze the irradiation effects of 2 MeV carbon ions and 0.28~20 MeV protons on homemade GaAs/Ge solar cells. The NIEL for each ion is modified by taking into a...
低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分结构可以用一平均成分的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度,旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致.
Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究
异质结构 同步辐射 X射线反射 表面偏析
2009/5/26
用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性.根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式:在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃,而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃,且分布形式与Ge原子层的厚度无关.讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ge原子分布范围、样品表面粗...
偶偶Ge和Se同位素核的形变HF态及负宇称带研究
形变HF态 角动量投影 单粒子能谱 负宇称带
2009/5/25
将具有负宇称的fp轨道空间扩大到包含具有正宇称的1g9/2轨道,采用修正的表面δ相互作用,对64Ge,66Ge,68Ge,70Se,72Se和74Se等6个偶偶核做了形变HF计算.得到了基态和一些激发态的解.同时,还用近似角动量投影形变Hartree-Fock(PDHF)方法,对64Ge和74Se进行了能谱计算,得到其正、负宇称带的解,计算结果与实验谱基本一致.
用落下灰Ge(Li)γ能谱中~(95)Zr-~(95)Nb谱峰估算核爆日期
谱峰估算 灰Ge(Li)γ能谱
2008/12/11
文报告了用核爆后放射性落下灰Ge(Li)γ能谱中,~(95)Zr-~(95)Nbγ射线峰面积比估算核爆日期的方法。即利用~(95)Zr与~(95)Nb在某测量时刻的γ辐射比来估算核爆日期。研究了不同的峰面积计算方法对估算结果的影响。用我国1976年元月23日核试验放射性落下灰的Ge(Li)γ能谱进行检验,结果表明,用R_(03)=~(95)Zr(757 keV)/~(95)Nb(766 keV)和...
掠入射X射线衍射研究Si覆盖层对Ge/Si量子点微结构的影响
量子点 组分 应变 掠入射X射线衍射
2008/11/28
Abstract利用掠入射X射线衍射和常规X射线衍射研究了Si(001)上的Ge量子点在不同厚度的Si覆盖层下微结构的变化,同时用AFM研究了其形貌变化.实验结果表明在小的覆盖度下,量子点中组分的变化已十分明显,同时量子点的形状也发生了明显的变化.
Ge/Si量子阱结构的C-V特性的模拟
Ge/Si量子阱 C-V 特性法 迭代法
2008/10/24
采用有限深对称方势阱近似模型求解薛定谔方程得到Ge/Si量子阱中的子能级分布，并基于迭代法数值求解泊松方程模拟计算了量子阱结构样品在不同偏压下的载流子浓度分布和C-V特性. C-V曲线上电容平台的存在是量子阱结构C-V特性的显著特征，它与量子阱结构参数有密切的关系. 随着覆盖层厚度的减小，C-V曲线上平台起始点的电容值增加，并且向低电压方向移动直至其消失. 随着量子阱中的掺杂浓度提高，阱中的载流子...
High Field Conduction in Thin Films of a-(Ge.20{Se0}.80)1-x{Pb}x Glassy Alloys
Thin films Chalcogenide glasses SCLC DOS
2010/4/8
The present paper reports d.c. conductivity measurements at high electric fields in vacuum evaporated amorphous thin films of (Ge.20Se0.80)1-xPbx (where x = 0, 0.02, 0.04, 0.06 and 0.10) glassy alloys...