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采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As 量子阱材料，制备300 μm×300 μm 台面，内电极压焊点面积为20 μm×20 μm，外电极压焊点面积为80 μm×80 μm 的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77 ~300 K 暗电流特性测试。结果显示，器件暗电流曲线呈现出正负偏压的不对称性。利用高分辨透射扫描电镜(HRTEM)获得样品纳米尺度横...
中科院半导体研究所在GaAs纳米线结构相变研究方面取得新进展
闪锌矿结构 GaAs纳米线 自催化方法
2012/10/10
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Latters）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员和博士研究生俞学哲关于通过三相线位移（triple phase line shift）调控GaAs纳米线结构相变的研究成果。作为传统的III-V族半导体，GaAs体材料的稳定相是闪锌矿结构。但是当进入到纳米尺度时，由于表面积相对增加，且纤锌矿结构的表面能较低，使得GaAs纳米线上容易...
Optical Absorption Enhancement in Freestanding GaAs Thin Film Nanopyramid Arrays
Optical Absorption GaAs Thin Film Nanopyramid Arrays
2015/8/7
Although III–V compound semiconductor multi-junction cells show the highest effi ciency among all types of solar cells, their cost is quite high due to expensive substrates, long epitaxial growt...
光电导天线的辐射特性仿真是设计和制造光电导天线的重要依据。将蒙特卡洛经验公式修正的GaAs迁移率随电场强度的变化关系引入德鲁德-洛伦兹模型，分析了光电导天线载流子输运情况。又将德鲁德-洛伦兹模型计算的光生载流子密度与时域有限差分方法相结合，得到34 μm孔径GaAs偶极子光电导天线的时域、频域及三维辐射特性。辐射峰值为0.8 THz，频谱宽度大于1 THz，与太赫兹时域光谱系统实际测量得到的数据吻...
高温Cs激活GaAs光电阴极表面机理研究
GaAs光电阴极 偶极子 表面势垒 量子效率
2011/4/26
研究了高温Cs激活过程中，GaAs光电阴极表面势垒的变化机理。在考虑GaAs材料体内负电性p型掺杂杂质与材料表面正电性Cs+所形成的偶极子对表面势垒的作用后，通过求解均匀掺杂阴极中电子所遵循的一维连续性方程，得到了反射式均匀掺杂阴极的量子效率公式，通过求解薛定谔方程得到了到达阴极表面的光电子的逸出概率公式，利用公式对GaAs光电阴极的Cs激活过程进行了分析。分析发现，激活过程中GaAs光电阴极的量...
用分子束外延(MBE)技术, 在GaAs(100)衬底上生长了不同Si掺杂浓度（从1016 cm-3到1018 cm-3）的n-GaAs薄膜。通过在室温下拉曼光谱的测量对n-GaAs薄膜的谱形进行了分析，拉曼位移出现了明显的移动，光学横模TO峰相对的增强，光学纵模LO峰相对的减弱。文章分析了原因这是由于Si掺杂浓度不断的提高，致使界面失配位错不断地提高造成的，内部应力也在不断的增大，原来的晶格振动...
基于CAN总线的GaAs光电阴极制备测控系统
CAN总线 GaAs光电 阴极 测控系统
2008/12/3
GaAs光电阴极是一种负电子亲和势光电阴极，具有量子效率高、发射电子能量和角度分布集中的优点，因而在微光像增强器、半导体敏感器件、自旋极化电子源等众多领域得到了广泛的应用[1]，但GaAs光电阴极的制备过程却极为复杂，对制备工艺和条件都有严格要求。目前GaAs光电阴极的制备都主要依赖熟练操作人员进行手工操作，这种操作方式不尽浪费大量人力物力，而且制备质量和效率得不到保证。而在制备过程中普遍采用的在...
GaAs光电阴极热清洗工艺研究
四极质谱仪 光电阴极 热清洗 温度
2008/9/27
GaAs光电阴极在进行Cs-O激活前．激活层表面必须达到原子级洁净。最常用且最有效的洁净方法是高温热清洗法。然而．在热清洗过程中对处在真空系统中的光电阴极表面温度进行精确测量却是非常困难的。本文采用四极质谱仪对GaAs光电阴极激活前的热清洗过程进行分析．确定了最佳的热清洗温度及热清洗工艺，较好地解决了GaAs光电阴极激活前的热清洗工艺问题。
Na_2S钝化的GaAs表面光荧光特性的研究
光荧 GaAs Na_2S
2008/5/12
本文用RPM2050型快速扫描光荧光谱仪(PL Mapper)研究经过Na2S.9H2O醇饱和溶液钝化处理后GaAs表面的光荧光特性。结果表明,GaAs表面经过硫钝化处理后,可大大降低复合速度改善发光效率。
报导了射频磁控溅射与沉积气氛掺氢相结合制备单层(13~20 nm厚)高质量GaAs多晶态纳米薄膜的方法,研究了氢钝化对薄膜微观结构及光学性质的影响.对GaAs薄膜进行了X射线衍射、原子力显微镜、吸收光谱、光致荧光谱的研究分析.结果表明,衬底温度500℃的掺氢薄膜和520℃的薄膜呈面心立方闪锌矿结构，薄膜的晶团尺寸较大，微观表面较为粗糙，其吸收光谱出现了吸收边蓝移和明显的激子峰，带隙光致荧光峰强明显...
专著信息
书名
应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用
语种
中文
撰写或编译
作者
俞波,盖红星,韩军,邓军,邢艳辉,李建军,廉鹏,邹德恕,沈光地
第一作者单位
出版社
量子电子学报, 22(1), 81, 2005
出版地
出版日期
2005年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
新型可调谐高效多源纵向光耦合垂直腔面发射激光器...
One-Dimensional Photonic Bandgap Microcavities for Strong Optical Confinement in GaAs and GaAs/Al O Semiconductor Waveguides
Gallium alloys nanotechnology optical waveguide fi lters
2015/8/12
Photonic bandgap (PBG) waveguide microcavities with tightly confined resonant optical modes have been designed,fabricated using high-dielectric-contrast GaAs/AlxOy III–V compound semiconductor s...