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本发明涉及辐射环境探测技术领域,涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块;所述控制模块输入端与PC机相连,控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连;所述恒流源模块与探头模块相连;所述数据采集模块的输入端与探头模块相连,数据采集模块的输出端与PC机相连;所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂...
对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明:随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力,背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感;辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用,导致了正栅源漏饱和电流的显著降低;退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置,而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电...

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