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过渡金属Ag, Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究,
2007/7/28
期刊信息
篇名
过渡金属Ag, Ir和Re搀杂硅半导体团簇的电子结构和性质的理论研究,
语种
中文
撰写或编译
作者
J. G. Han,P. F. Zhang
第一作者单位
刊物名称
科学技术和工程
页面
3(3): 310-311(2003)
出版日期
2003年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
过渡金属与硅或锗混合团簇电子结构性质的理论研究