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新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究。
应用基于系统辨识理论的实时迭代模式（real-time iterative model，RTIM）对WRF模式预报结果进行后处理，建立了上海地区霾天气的模式输出-统计（model output statistics，MOS）方法.首先，根据WRF模式的气象输出资料，结合大气污染观测数据，筛选出霾事件的预报因子；其次，运用系统辨识实时迭代模型，建立依据MOS预报方法的PM2.5、PM10和能见度预报...
25 GHz Operation of Silicon Optical Modulator with Projection MOS Structure
Waveguide modulators Modulation Waveguides
2015/6/5
We report a high-speed and compact silicon optical modulator based on the free carrier plasma dispersion in a silicon rib waveguide with a MOS (metal-oxide-semiconductor) junction structure.To achieve...
MOS气敏传感器阵列优化与工作温度选择
传感器阵列 温度选择 阵列优化 特征选择
2014/5/14
通过对金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器阵列进行阵列优化和工作温度的选择，达到提高阵列选择性、降低其功耗的目的。实验采用10个MOS传感器组成阵列，在不同加热电压下，对不同浓度的苯、甲苯、甲醇、乙醇进行测试；利用四种特征选择方法进行阵列优化，同时对优化后的特征子集做Fisher线性判别(DFA)分析。结果表明，优化的阵列在比通用加热电压(5.0V)低的加热电压(4.4V)下工作，对四种物质的正确...
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数，对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件，被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模，该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理，具有良好的精确性和收敛性，这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电...
新型硅基MOS力敏传感器的设计与制作
力敏效应 MOS晶体管 灵敏度 功耗
2014/5/15
随着汽车、航天、生物等领域对力敏传感器的越来越巨大的市场需求，力敏传感器再次成为研究的热点。压阻式力敏传感器由于其性能稳定、制作工艺简单、稳定性好且价格低成为商家的首选。研究表明，在应力作用下，MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化，具有类似压敏电阻的力敏效应。本文基于MOS晶体管的这种力敏效应，采用晶体管和电阻构成压敏电桥，提出了一种新型的硅基MOS力敏传感器。该器件在与传统...
为了揭示低地球轨道环境中的原子氧对粘结固体润滑涂层摩擦学性能的影 响，制备了MoS2／酚醛环氧树脂粘结固体润滑涂层，并在原子氧地面模拟设备中对 其进行辐照。采用球盘摩擦试验机考察了辐照前后涂层的摩擦磨损性能，并通过扫描电子显 微镜（SEM）和X-射线光电子能谱仪(XPS)分析了辐照对涂层表面结构和组成的影响。研究发 现，原子氧辐照增大了涂层的摩擦系数，降低了其耐磨性。表面结构和组成分析表明，原子...
多模式集成MOS方法在精细化温度预报中的应用
集成MOS方法 多模式 数值产品释用 温度预报
2012/11/6
利用T213和ECMWF模式产品,对集成MOS预报方法在温度预报方面做了研究试验,并将其与单模式MOS预报方法进行了对比分析.研究结果表明,多模式集成MOS预报方法与传统MOS预报方法相比,预报水平有了进一步的提高,它能同时充分利用多个模式产品的有用信息,吸取其各自的优点,做出更好的预报.在系统程序设计时,给各因子附带一身份识别参数,解决了多模式数据处理的复杂性问题.试验过程中发现,各季节的MOS...
计算MOS器件应力的简单方法
MOS器件 机械应力 Raman谱法
2009/9/23
本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。
Radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardenedfully-depleted SIMOX SOI wafers
SOI pseudo-MOS transistor total dose radiation ion implantation
2009/9/17
The total dose radiation response of pseudo-MOS transistors fabricated in hardened and unhardened FD (fully-depleted) SIMOX (Separation by Implanted Oxygen) SOI (Silicon-on-insulator) wafers is presen...
本实验给出了用加固的和未加固的全耗尽SIMOX SOI材料制备的pseudo-MOS晶体管的总剂量辐射实验结果。在高达1M 拉德（硅）的辐射剂量下，加固技术使晶体管的阈值电压漂移从-115.5V减小到-1.9V。计算了埋氧层俘获的净正电荷的质心位置、埋氧层的空穴陷阱浓度及其空穴俘获分数，结果表明采用该技术加固的全耗尽SIMOX SOI材料具有优秀的抗总剂量辐射能力。
Statistical Model of Hot-Carrier Degradation and Lifetime Prediction for P-MOS Transistors
Hot-carrier P-MOS transistor lifetime prediction
2009/7/28
Along with advances in microelectronics, and computer and space technologies, device dimensions are becoming smaller; as a result, hot-carrier effect, lifetime prediction, and reliability become more ...
一种制作气象要素预报的MOS方法
MOS方法 气象要素预报 MM5模式
2009/6/26
介绍了基于MM5模式的预报气象要素的一种MOS方法 ,并对预报效果做了初步检验。MOS方法直接利用MM5模式的预报产品 ,采用多点滑动平均普查因子方法和多元线性 (非线性 )逐步回归方法 ,可以同时预报多地点、多时次、多个气象要素。其中采用的多点滑动平均普查因子方法 ,减弱甚至消除了由于随机原因造成其中单点相关因子的不稳定性.