搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术”相关记录26751条 . 查询时间(0.406 秒)
上海高研院实验证实RuO₂非交变磁特性（图）
电子 器件 薄膜
2024/11/9
交变磁性（altermagnetism）是一种近年来提出的第三类基本磁相，它既有反铁磁体的零净磁场，也具有铁磁体的自旋劈裂现象，而这两者通常被认为是不相容的。由于交变磁性兼具铁磁性和反铁磁性的优势，这一发现为制造自旋电子器件带来了新的希望和突破口，在磁存储和量子计算中展现出具大的应用前景。
中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产
电子 半导体 集成电路
2024/11/7
当前，Flash遇到制程微缩瓶颈，大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm嵌入式RRAM IP，成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。
2024年11月6日，北京经济技术开发区（北京亦庄）显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产，并成功应用于国内头部客户的Mini LED（次毫米发光二极管）...
中国科学院上海高等研究院硬X射线自由电子激光装置注入器实现100MeV束流加速（图）
X射线 电子 激光 装置
2024/11/9
2024年10月30日，硬 X 射线自由电子激光装置（SHINE）开启注入器束流调试并于当日实现束流贯通，束流加速能量达到工程设计要求的100兆电子伏特（MeV）。HINE 作为最新一代基于连续波超导加速器的高重频自由电子激光装置，将建设1台电子能量8吉电子伏特（GeV）的超导直线加速器和若干波荡器线、光束线以及实验站。注入器是SHINE直线加速器的最主要组成部分之一，包含一台光阴极常温连续波甚高...
中国科学院合肥物质科学研究院SHMFF用户在高迁移率二维半导体中观测到分数量子霍尔效应（图）
二维半导体 观测 量子
2024/11/11
2024年11月4日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户辽宁材料实验室和山西大学等合作者利用SHMFF所属水冷磁体WM5，在二硫化钼的n型半导体场效应晶体管低温欧姆接触稳定可靠制备方面取得了新进展，该成果在线发表于Nature Electronics。
中国科学院半导体所提出免于退极化效应的光学声子软化新理论（图）
半导体 光学 声子 理论
2024/11/7
通过晶体管持续小型化提升集成度的摩尔定律已接近物理极限，主要瓶颈是晶体管功耗难以等比例降低。进一步降低功耗有两个主要途径：其一是寻找拥有比HfO2 更高介电常数和更大带隙的新型高k氧化物介电材料，确保不降低栅控能力的前提下增厚栅介电层，遏制量子隧穿效应引起的栅极漏电流；另一个是采用铁电/电介质栅堆叠的负电容晶体管（NCFET），突破传统晶体管室温60 mV/dec的亚阈值摆幅限制，进而...
分子内非共价相互作用能够锁定平面构象，显著提升共轭骨架的共平面性和刚性，进而增强载流子的迁移率。这一特性已在有机太阳能电池、有机光电探测器及有机场效应晶体管等多个领域得到广泛应用，并逐渐成为设计高性能有机/高分子半导体材料的关键策略之一。然而迄今为止，尚未有可靠的方法能够直接表征薄膜体系中分子内非共价相互作用和相应构象的存在。
人工智能视觉芯片（图）
人工智能 视觉芯片
2024/10/29
传统多数视觉图像传感器和处理器是分离的，传感器和处理器之间必须通过大规模数据交互才能完成信息处理，这限制了处理的时效性。项目组提出一种将图像传感器和处理器一体化集成的智能视觉芯片设计方案，实现了仿人类视觉系统成像和处理功能，处理和响应速度可达到1000fps，图像传感器的分辨率为256×256。该项目研制的多级并行处理视觉芯片是面向高速图像目标检测、识别、追踪应用的图像处理芯片。该芯片采用了多层次...
氮化镓基微电子材料与器件（图）
氮化镓基 微电子 材料 器件
2024/10/29
氮化镓（GaN）基微电子材料与器件属于战略性先进电子材料与核心电子器件领域，可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、高铁、智能电网、消费电子等新一代信息产业的发展，具有重大应用前景和市场潜力，也是目前国家重点扶持和发展的战略核心科技与产业领域。半导体研究所是国内最早开展GaN基微电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、示范和带动作用。经过二十余年的自主创新，在GaN基微电子材料与器件领域取得了多项重...
一种热电器件测试系统及方法（图）
热电器件 测试系统
2024/10/29
本发明涉及一种热电器件测试系统及方法。该系统包括：外壳与真空法兰形成密闭空间；机械台架置于密闭空间内，固定于真空法兰的上表面；冷却结构置于机械台架的一侧；冷却结构与真空法兰上的冷却剂流道通过胶管连接；加热结构置于机械台架的另一侧；加热结构通过真空法兰上的通信接口与温度控制器连接；温度采集模块与冷却结构和加热结构连接；当热电器件为热电制冷器件时，冷却结构与热电器件连接，电流源和电压采集模块与热电器件...
一种散热功率模块（图）
散热 功率模块
2024/10/29
本发明公开一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法。所述方法首先采用丝网印刷工艺在陶瓷基片表面印制一层活性金属焊接层；再在所述活性金属焊接层表 面制备具有不同厚度的金属铜箔；然后采用光刻工艺在所述金属铜箔上刻蚀出电路图形，形成所述陶瓷覆铜电路板。由于本发明采用活性钎焊技术直接获得具有不同金属层厚度的陶瓷覆铜电路板，因此可以避免高功率电力电子模块器件双面封装时需要焊接一层金属垫高层的做法，从而可以避免高温焊料...
一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法（图）
陶瓷覆铜 电路板
2024/10/29
本发明公开一种陶瓷覆铜电路板及其制备方法。所述方法首先采用丝网印刷工艺在陶瓷基片表面印制一层活性金属焊接层；再在所述活性金属焊接层表面制备具有不同厚度的金属铜箔；然后采用光刻工艺在所述金属铜箔上刻蚀出电路图形，形成所述陶瓷覆铜电路板。由于本发明采用活性钎焊技术直接获得具有不同金属层厚度的陶瓷覆铜电路板，因此可以避免高功率电力电子模块器件双面封装时需要焊接一层金属垫高层的做法，从而可以避免高温焊料难...
现场总线集成电路设计技术转化（图）
现场总线 集成电路 技术转化
2024/10/29
核心技术：低功耗设计，波形整形技术。成果体现形式：核心部件。技术成熟度：成品已批量应用。成果领先性：核心指标达到国际技术同等水平。
中国科学院物理研究所二维半导体Cr8Se12的合成和类笼目能带的实验观测（图）
二维半导体 合成 观测
2024/11/4
材料的电子结构受其几何结构和材料维度的影响。一些具有特殊几何构型的晶格，如笼目晶格、Lieb晶格、着色三角晶格等，具有电子阻挫效应产生的无色散的能带，即平带，其中存在丰富的电子关联效应。最近，人们在三维笼目金属中已经观察到多种关联电子态，例如巨大的反常霍尔效应、量子自旋液体、手性电荷密度波和非常规超导等。另一方面，与半导体工业中常用的三维半导体相比，二维半导体由于良好的开关性能和更强的库仑相互作用...
中国科学院合肥物质科学研究院SHMFF用户在Pt/CrI3异质结构研究中取得新进展（图）
结构 电子 器件
2024/11/11
2024年10月28日，稳态强磁场实验装置（SHMFF）用户河南大学王凯教授、康朝阳副教授与中国科学院合肥物质院强磁场科学中心韩玉岩副研究员合作，依托SHMFF物性测试系统，在Pt/CrI3异质结构输运性质研究取得了新进展。该成果于2024年09月30日在国际著名学术出版社Elsevier发行的期刊Applied Surface Science上在线发表。
